类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：11.5mΩ（典型值，@Vgs=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TSON（薄型小外形无引脚封装）

PQ15M1D具有多个关键特性，使其适用于各种高效率功率应用。
　　首先，该器件具有极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=4.5V时典型值为11.5mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　其次，PQ15M1D采用了TSON封装技术，具有较小的封装尺寸和良好的热性能，适合高密度PCB布局。该封装还提供了优异的散热能力，有助于维持MOSFET在高负载条件下的稳定运行。
　　此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达15A，适用于中高功率应用。
　　最后，PQ15M1D的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至12V之间的驱动电压，适用于多种控制电路设计，包括由低电压MCU直接驱动的应用场景。

PQ15M1D主要应用于需要高效功率控制的电子设备中。例如，在电源管理系统中，它可用于同步整流、负载开关和电源分配控制，帮助提高整体能效并减少发热。
　　在DC-DC转换器中，PQ15M1D凭借其低Rds(on)和快速开关特性，可以显著提升转换效率，适用于Buck、Boost及反相转换器拓扑。
　　此外，该MOSFET也适用于电池供电设备中的功率管理，如笔记本电脑、平板电脑、智能电源管理系统和便携式充电设备等。
　　在电机驱动器和LED背光驱动电路中，PQ15M1D的高电流能力和稳定工作特性也使其成为优选器件。

SiSS15DN, TPS61175, AO4406A