PQ15M1B 时间：2025/8/28 14:33:05 阅读：13

PQ15M1B 是一款由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）制造的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关电路中。这款晶体管具有较高的效率和较低的导通电阻，适用于需要高效能和高可靠性的电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：15mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252
　　功率耗散（Pd）：50W

特性

PQ15M1B 拥有极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。
　　其20V的漏源电压和±12V的栅源电压使其适用于多种中低压功率应用。
　　该MOSFET具有高电流承载能力，额定连续漏极电流为15A，适合用于高负载电路中。
　　其TO-252封装形式具有良好的热性能和机械稳定性，便于在PCB上安装和散热。
　　此外，PQ15M1B 还具有良好的抗雪崩能力和热稳定性，能够在苛刻的工作环境下保持稳定运行。
　　由于其优异的电气性能和可靠性，PQ15M1B常用于DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关以及电池供电设备等应用中。

应用

PQ15M1B 常见于各类电源管理电路中，如DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器和放电电路。
　　它也被广泛用于工业自动化设备、电动工具、电动车以及便携式电子产品中的功率开关和负载控制部分。
　　由于其高效率和紧凑封装，PQ15M1B也非常适合用于空间受限且对热管理有较高要求的设计中。
　　在电机控制和驱动电路中，该MOSFET能够提供稳定的电流切换，减少能量损耗并提升系统响应速度。
　　此外，PQ15M1B也适用于需要高频开关操作的应用，如PWM控制电路和功率放大器。