类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏极电流：12A
　　最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：20V
　　导通电阻（Rds(on)）：5.1mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：6.3mΩ @ Vgs=4.5V
　　封装类型：PQFN（PQ12TZ5U）、PQFN（PQ12TZ51）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　功率耗散：3.4W

PQ12TZ5U/PQ12TZ51具有低导通电阻的特性，使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。由于采用了先进的沟槽式MOSFET技术，这些器件在导通状态下表现出极低的Rds(on)值，从而减少了导通损耗并提高了热性能。
　　此外，PQ12TZ5U/PQ12TZ51采用紧凑的PQFN封装，具有较小的封装尺寸和较高的功率密度，适合用于空间受限的设计。该封装还具有良好的热传导性能，有助于散热，从而提高器件在高负载条件下的稳定性。
　　这两个型号的MOSFET支持较高的栅源电压（最大20V），在设计中可以使用标准的逻辑电平驱动（如5V或10V），适用于多种控制电路。它们还具有较强的抗雪崩能力和较高的可靠性，适合用于工业级和汽车级应用。
　　在动态性能方面，PQ12TZ5U/PQ12TZ51具有较低的输入电容（Ciss）和较快的开关速度，有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。这使得它们非常适合用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器和负载开关等电路。

PQ12TZ5U和PQ12TZ51主要应用于需要高效率、高功率密度和紧凑设计的电子系统中。常见应用包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统、电源管理和工业自动化设备等。在这些应用中，低导通电阻和高电流能力使得这些MOSFET能够有效地降低功耗并提高系统整体效率。此外，它们也适用于便携式电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能设备中的电源管理模块。由于其良好的热性能和可靠性，PQ12TZ5U/PQ12TZ51也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统和车载娱乐系统等。

SiSS12TN,NTR4100NT1G,FDMS86180