PQ12SZ11 时间：2025/8/28 8:54:59 阅读：15

PQ12SZ11是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率、高功率密度的电源转换系统。该器件采用高性能硅技术制造，具备低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）等应用。PQ12SZ11封装形式为TSMT（双面散热小型表面贴装封装），具有良好的散热性能，适合高密度PCB布局。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：120A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5.2mΩ（典型值4.5mΩ）
　　功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TSMT（双面散热SOP封装）

特性

PQ12SZ11具有低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。
　　其TSMT封装支持双面散热，增强了热管理性能，使器件在高电流工作条件下保持稳定。
　　该MOSFET具有高耐压能力，漏源电压可达100V，适用于中高功率电源系统。
　　内部结构优化，具备高电流承载能力和良好的抗热失效性能。
　　快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　宽工作温度范围（-55℃至+175℃）使其适用于各种恶劣环境条件。
　　符合RoHS标准，不含卤素，满足现代电子产品环保要求。

应用

PQ12SZ11广泛应用于高效电源管理系统，如服务器电源、通信设备电源、DC-DC转换器模块等。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，适用于高功率密度负载开关和电机驱动电路。
　　在电池管理系统（BMS）中作为高侧或低侧开关使用，实现高效充放电控制。
　　适用于高效率同步整流器、电源分配系统、功率放大器和工业自动化设备中的功率控制单元。
　　在汽车电子系统中，如车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和电动助力转向系统中也有广泛应用。