PQ12SZ1 时间：2025/8/28 8:00:41 阅读：19

PQ12SZ1 是一种表面贴装（SMD）封装的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和稳压电路中。该器件由ROHM Semiconductor制造，具有小尺寸、高稳定性和快速响应的特点，适合在各类电子设备中使用。PQ12SZ1 提供稳定的参考电压，适用于低功率应用中的电压限制和保护电路。

参数

类型：齐纳二极管（Zener Diode）
　　封装类型：SOD-523（SMD）
　　额定功率：200 mW
　　齐纳电压：12 V
　　最大齐纳电流：10 mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　极性：单向齐纳
　　最大反向漏电流（@ VR）：100 nA
　　最大正向电压降（@ IF）：1 V（@ 10 mA）

特性

PQ12SZ1 是一款高性能齐纳二极管，其核心特性在于提供精确且稳定的齐纳电压。该器件的齐纳电压为12V，适用于需要精确电压参考的电路。由于其SOD-523封装设计，PQ12SZ1 体积小巧，适合在高密度PCB布局中使用。
　　该齐纳二极管的最大额定功率为200 mW，在标准工作条件下能够提供稳定的电压调节性能。最大齐纳电流为10 mA，确保在轻负载条件下仍能保持良好的稳压效果。PQ12SZ1 的工作温度范围宽广，从-55°C到+150°C，使其适用于各种工业和消费类电子应用。
　　该器件的反向漏电流极低（最大100 nA），在非导通状态下对电路的影响非常小，从而提高了整体电路的稳定性。此外，其正向电压降为1V（@10 mA），在正向导通状态下功耗较低，有助于提高能效。
　　得益于其高稳定性和可靠性，PQ12SZ1 在电源管理、信号调节、电压监测和保护电路中表现出色。该器件的快速响应特性也使其适合用于瞬态电压抑制和参考电压生成。

应用

PQ12SZ1 广泛应用于需要电压调节和稳压功能的电路中。典型应用包括：电源电路中的电压参考源、低功耗稳压器、电压监测电路、过压保护电路以及信号调理电路。此外，它也可用于通信设备、消费电子产品、工业控制系统和传感器电路中，提供稳定的参考电压或限制电压波动。
　　在嵌入式系统中，PQ12SZ1 可用于微控制器或ADC/DAC电路中的参考电压源，确保模拟信号的精度。在电源适配器和电池充电器中，它可以用于电压限制保护，防止过电压损坏后级电路。由于其SMD封装形式，PQ12SZ1 也适用于自动化生产流程，便于大规模制造和组装。