PQ12DZ5U 时间：2025/8/28 22:16:11 阅读：26

PQ12DZ5U 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器等低电压高效率的功率系统中。该器件采用小型表面贴装封装（例如 VSOF 封装），具有良好的导通电阻与电流承载能力，适合在空间受限的设计中使用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 22.5 mΩ（在 Vgs=4.5V 时）
　　栅极电荷（Qg）：9.5nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：VSOF（5引脚）

特性

PQ12DZ5U 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗，提高系统的整体效率。该器件在 Vgs=4.5V 时的导通电阻仅为 22.5 mΩ，表明其在低压驱动条件下仍能保持优异的导通性能。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流可达 6A，适用于中等功率级别的电源管理应用。
　　该器件采用小型化的 VSOF 封装，适合表面贴装工艺，有利于节省 PCB 空间并提高生产效率。其低栅极电荷（Qg=9.5nC）特性使其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗，提升电源系统的响应速度和稳定性。
　　 PQ12DZ5U 还具备良好的热稳定性与耐久性，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于各种严苛环境条件下的应用。此外，其 ±8V 的栅源电压耐受能力提供了良好的抗过压保护，降低了在实际应用中因栅极驱动异常而损坏的风险。

应用

PQ12DZ5U 广泛应用于各类便携式电子设备和电源管理系统中，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、电池管理系统（BMS）、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及马达驱动电路等。由于其低导通电阻和高效率的特点，特别适合用于需要高能效和低发热的电源转换系统。
　　在电源管理领域，PQ12DZ5U 常用于负载开关控制，能够实现对系统不同模块的高效供电管理，帮助设备在待机或低功耗模式下切断电源供应，从而降低功耗。在 DC-DC 转换器中，该器件可用于同步整流结构，提高转换效率，减少发热。
　　此外，PQ12DZ5U 也可用于马达驱动电路中，作为开关元件控制马达的启停和方向，其高电流承载能力和快速开关特性使其在小型马达控制应用中表现出色。在电池管理系统中，该 MOSFET 可用于充放电路径的控制，确保电池的安全高效使用。