时间：2025/12/28 21:10:38
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PQ120RDA1MZH 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高功率应用而设计，适用于需要低导通电阻和高电流承载能力的场合。PQ120RDA1MZH 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，以实现更低的导通损耗和更高的热稳定性。该器件通常用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电源管理模块和各种高功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.2mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：双排散热封装（例如：TO-247AD 或类似）
功率耗散（PD）：300W（最大值）
阈值电压（VGS(th)）：2.0V 至 4.0V（在 ID=1mA 时）
PQ120RDA1MZH 功率 MOSFET 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为 1.2mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。这一特性使其特别适合用于高电流应用，例如电源转换器和电机驱动器。
此外，该器件具有高电流承载能力，最大漏极电流可达 120A，并且能够在高温环境下稳定工作，最高工作温度可达 175°C。这使得 PQ120RDA1MZH 在高功率密度设计中表现出色，同时具备良好的热稳定性。
PQ120RDA1MZH 的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20V 的最大栅源电压，使得其能够与多种驱动电路兼容。同时，其阈值电压范围为 2.0V 至 4.0V，确保了可靠的导通和关断操作。
PQ120RDA1MZH MOSFET 主要用于高功率、高效率的电子系统中。在电源管理领域，它广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关电路中，用于实现高效的电能转换和分配。
在电机控制和驱动应用中，PQ120RDA1MZH 可用于高性能电机驱动器和伺服控制系统中，提供高电流输出和稳定的开关性能。
SiHF120N10T、IRF1404、IXFN120N10T、FDMS86180、PQ120R100A、PQ120RDA1MH-E
