PPC8270ZUUPE 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关应用设计。该器件采用 N 沟道增强型技术,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机驱动以及负载切换等场景。
其封装形式为 U-DFN4 封装,这种小型化封装有助于减少电路板空间占用,并提高散热性能。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:3.1A
导通电阻(典型值):75mΩ
栅极电荷(典型值):6nC
开关频率范围:高达 2MHz
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:U-DFN4
PPC8270ZUUPE 的主要特性包括低导通电阻(RDS(on)),这使得其在高电流条件下能够有效降低功耗;同时,其快速的开关能力减少了开关损耗,提升了整体转换效率。
此外,该器件采用了无铅环保材料,符合 RoHS 标准,并且具备出色的热稳定性和可靠性。它的超小型封装非常适合便携式设备和空间受限的应用环境。
由于 PPC8270ZUUPE 的高效能和紧凑设计,它成为许多现代电子系统中的理想选择,尤其是在需要高频开关操作或追求更小体积解决方案的情况下。
PPC8270ZUUPE 广泛应用于多种领域,例如:
1. 移动设备中的降压 DC-DC 转换器
2. USB 充电器和适配器中的电源管理
3. 便携式医疗设备中的电池管理
4. 工业控制中的负载开关
5. 消费类电子产品中的电机驱动
这些应用场景充分利用了 PPC8270ZUUPE 的高性能和小型化优势,使其成为众多工程师设计中的首选方案。
PPC8270TGUPE, FDMC8270