时间：2025/12/27 20:58:19
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PP20116CH是一款由Power Integrations公司推出的高集成度、高性能的离线式开关电源（SMPS）控制器芯片，广泛应用于低功率AC-DC转换场合。该器件属于Power Integrations的InnoSwitch?3产品系列，采用先进的数字电源架构，集成了高压MOSFET、初级侧控制器、次级侧同步整流驱动器以及磁耦合反馈机制，实现了高效能、高可靠性的电源设计。PP20116CH特别适用于消费类电子产品中的充电器、适配器等应用，如手机充电器、智能家居设备电源、物联网终端供电模块等。
该芯片采用了PowiGaN?技术，即基于氮化镓（GaN）的功率开关器件，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体能效，并允许在更小的封装尺寸下实现更高的功率密度。此外，PP20116CH具备出色的热性能和保护功能，能够在宽输入电压范围内稳定工作，支持全球通用输入电压（通常为85VAC至265VAC），并符合多项国际能效标准，如DoE Level VI和EU CoC V5 Tier 2等节能规范。
产品系列：InnoSwitch?3-CP
拓扑结构：反激式（Flyback）
集成开关类型：PowiGaN? GaN开关
最大输出功率：约45W
输入电压范围：85VAC – 265VAC（宽范围）
开关频率：典型值约为100kHz
效率：高达95%以上（取决于设计）
工作温度范围：-40°C 至 +150°C（结温）
封装类型：InSOP-24D
集成保护功能：过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）、开路故障保护
控制方式：准谐振（Quasi-Resonant, QR）与CC/CV调节
反馈机制：FluxLink?磁耦合数字反馈（次级侧感应与控制）
同步整流支持：是，集成次级SR驱动器
待机功耗：<30mW（满足DoE Level VI要求）
PP20116CH的核心优势在于其高度集成化的设计理念，将初级侧的高压GaN开关、控制器、次级侧同步整流驱动器及反馈电路整合于单一芯片系统中，极大简化了电源设计流程并减少了外部元件数量。这种集成不仅提升了系统的可靠性，还有效缩小了PCB面积和整体电源体积，非常适合对空间敏感的应用场景。其采用的PowiGaN?技术使GaN晶体管能够在高频条件下高效运行，相比传统硅基MOSFET大幅降低导通电阻和开关损耗，从而提升转换效率，尤其是在轻载和中等负载条件下表现出卓越的能效表现。
该器件内置的FluxLink?隔离式数字通信技术摒弃了传统光耦和辅助绕组，通过变压器主绕组上的磁通变化实现初级与次级之间的精确信号传输，确保了快速动态响应和高精度的恒压（CV）与恒流（CC）调节能力。这一技术还增强了系统在各种电网波动和负载变化下的稳定性。此外，PP20116CH具备全面的多重保护机制，包括自动恢复模式下的过温保护、输出过压锁定保护、短路保护以及输出二极管或同步整流管开路故障检测，极大地提高了电源系统的安全性与耐用性。
在实际应用中，PP20116CH无需额外的散热片即可在密闭环境中长期稳定运行，得益于其优异的热管理设计和低功耗特性。它支持多种变压器设计选项，便于客户根据具体需求进行定制化开发。同时，Power Integrations提供了完整的参考设计、评估板和设计工具（如PI Expert Online），帮助工程师快速完成从概念到量产的全过程，缩短产品上市时间。
PP20116CH主要应用于需要高效率、小体积、低成本且符合严苛能效法规的低功率AC-DC电源解决方案。典型应用包括智能手机、平板电脑和其他便携式设备的USB充电器，特别是支持PD快充协议的适配器；智能家居设备如智能音箱、Wi-Fi路由器、IP摄像头的外部电源适配器；工业传感器、IoT节点、楼宇自动化终端的嵌入式电源模块；以及白色家电中的辅助电源或控制板供电单元。由于其出色的EMI性能和低待机功耗，也适合用于对电磁兼容性和节能环保有较高要求的产品。此外，在医疗设备、POS终端、LED照明驱动等领域也有广泛应用潜力，尤其适用于追求无风扇、自然冷却设计的小型化电源系统。
INN3376C
