PO1203NB 时间：2025/11/12 21:35:44 阅读：23

PO1203NB是一款由Power Integrations公司推出的高集成度、单片式离线开关电源IC，专为低功率、高效率的交流-直流（AC-DC）电源转换应用而设计。该器件集成了一个725V耐压的功率MOSFET和先进的控制电路，适用于无需次级侧反馈的隔离反激式拓扑结构。PO1203NB采用增强的节能技术，在轻载和空载条件下仍能保持极低的待机功耗，符合全球最严格的能效标准，如能源之星、欧盟CoC V5 Tier 2等。该芯片广泛应用于家用电器、工业控制、智能仪表、网络设备以及物联网（IoT）终端设备中的辅助电源或主电源系统。其高度集成的设计减少了外部元件数量，简化了PCB布局，并提高了系统的整体可靠性。此外，PO1203NB内置了多种保护功能，包括过温保护（OTP）、过流保护（OCP）、输出过压保护（OVP）以及自动恢复模式下的故障保护机制，确保在各种异常工况下安全运行。

参数

型号：PO1203NB
　　制造商：Power Integrations
　　封装类型：DIP-8C
　　工作电压范围：典型90VAC至265VAC
　　输出功率能力：最大约12W
　　集成MOSFET耐压：725V
　　控制模式：准谐振（Quasi-Resonant, QR）反激控制
　　启动电流：＜1μA
　　工作频率范围：30kHz - 100kHz
　　待机功耗：＜30mW（满足六级能效）
　　工作温度范围：-40°C 至 +100°C
　　保护功能：过温保护、过流保护、过压保护、自动恢复重启
　　反馈方式：光耦反馈（次级侧调节）
　　封装热特性：具备良好的散热设计以支持自然对流冷却

特性

PO1203NB的核心优势在于其高度集成化与卓越的能效表现。该芯片采用了Power Integrations独有的FlexEco节能架构，能够在不同负载条件下动态调整开关频率和工作模式，实现从满载到轻载的全程高效运行。其准谐振控制机制利用谷底开关（valley switching）技术，在MOSFET漏源电压最低点时导通，显著降低了开关损耗，提升了转换效率并减少了电磁干扰（EMI）。这一特性使得电源设计更容易通过EMI合规测试，同时降低滤波元件的成本和体积。
　　该器件内置的725V功率MOSFET不仅具备足够的电压裕量以应对电网波动和雷击浪涌，还结合了快速响应的电流限制电路，可在输入电压骤升或输出短路等极端情况下迅速切断功率输出，防止器件损坏。此外，PO1203NB支持精确的输出电压调节，通过次级侧的TL431和光耦构成闭环反馈系统，实现±5%以内的稳压精度。芯片内部还集成了高压电流源，可在上电时自动为内部电路供电，无需额外的启动电阻，进一步简化了外围设计并降低了空载功耗。
　　在可靠性方面，PO1203NB具备全面的自保护机制。当检测到过温、过流或输出过压时，芯片会进入自动恢复模式，周期性地尝试重启，避免持续故障导致永久性损坏。这种“打嗝”模式不仅提升了安全性，也便于系统诊断和维护。其DIP-8C封装形式兼容标准插件工艺，适合自动化生产，同时具备良好的散热性能，适用于无风扇或密闭环境下的长期稳定运行。

应用

PO1203NB常用于需要小功率隔离电源的各种电子设备中，典型应用场景包括智能家居控制器、路由器、机顶盒、白色家电的控制板电源、工业传感器供电模块、智能电表辅助电源、LED照明驱动电源以及楼宇自动化系统的嵌入式电源单元。由于其高集成度和优异的能效特性，特别适合对空间、成本和能耗有严格要求的设计。此外，该芯片也被广泛应用于医疗设备中的低泄漏电流电源设计，因其可配合Y电容优化方案实现安全可靠的绝缘等级。