PNIRP-04V-S 是一款基于砷化镓(GaAs)材料制成的近红外光电探测器,主要应用于短波长范围内的光信号检测。该器件具有高灵敏度、快速响应和低噪声等特点,适用于工业、医疗及科研领域的精密光学测量系统。
其设计专注于对特定波长范围(通常在850nm至1050nm之间)的红外光进行高效检测,并通过优化封装结构进一步提高了环境适应性和稳定性。
工作电压:4V
暗电流:≤1μA
响应度:≥0.6A/W(900nm 波长下)
上升时间:≤1ns
下降时间:≤1ns
工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
封装形式:TO-46金属罐型
PNIRP-04V-S 具备卓越的性能特点,使其在多种应用中表现出色。以下是其主要特性:
1. 高灵敏度:对于目标波段的红外光信号能够实现精准捕捉,确保数据采集的可靠性。
2. 快速响应:亚纳秒级的时间常数使该探测器适合高频信号处理场景。
3. 稳定性强:采用先进的封装技术以减少外界干扰,保障长期使用中的性能一致性。
4. 低噪声设计:有效降低热噪声和散粒噪声的影响,提升信噪比。
5. 宽温适应:能够在极端环境下稳定运行,满足多样化需求。
这款光电探测器广泛应用于以下领域:
1. 工业自动化:如高速分拣系统中的颜色识别与材质分类。
2. 医疗设备:包括脉搏血氧仪、心率监测器等健康监控装置。
3. 科学研究:用于光谱分析、激光测距以及量子通信实验。
4. 消费电子:支持新一代智能设备中的手势识别和环境感知功能。
5. 军事国防:涉及夜视成像、导弹制导等领域。
PNIRP-05V-S
PNIRP-04V-M