PNDP-42V-Z 时间：2025/12/27 17:01:02 阅读：13

PNDP-42V-Z是一款由Power Integrations公司生产的高集成度、单片式离线式开关IC，专为低功耗交流-直流（AC-DC）电源转换应用设计。该器件基于Power Integrations的专利技术——PowiGaN?，采用先进的氮化镓（GaN）半导体材料制造，相较于传统的硅基MOSFET，具备更低的导通电阻和开关损耗，从而显著提升电源系统的能效并减少热耗散。PNDP-42V-Z适用于无需次级侧反馈元件的隔离反激式拓扑结构，内部集成了高压功率晶体管、控制器、保护电路以及用于实现精确输出电压调节的多模式准谐振控制逻辑。该芯片支持宽范围输入电压（通用输入85 VAC至265 VAC），能够在待机状态下实现极低的功耗，符合全球最严格的能源效率标准，如欧盟CoC Tier 2、美国能源部（DoE）Level VI以及Energy Star等。得益于其高度集成的设计，PNDP-42V-Z可大幅简化电源设计流程，减少外部元器件数量，提高系统可靠性，并有助于缩小整体电源尺寸，适用于消费类电子设备中的壁式适配器、充电器、智能家居产品、工业传感器及IoT设备等应用场景。

参数

产品类型：离线式开关IC
　　拓扑结构：反激式
　　技术平台：PowiGaN?（氮化镓）
　　最大输出功率：约45 W（取决于设计）
　　输入电压范围：85–265 VAC（全范围）
　　工作频率：30 kHz 典型值
　　启动电流：< 10 μA
　　空载功耗：< 30 mW
　　集成开关器件：增强型GaN FET
　　击穿电压：750 V
　　封装形式：InSOP-24D（带裸焊盘）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　保护功能：过温保护（OTP）、过压保护（OVP）、过流保护（OCP）、开环保护
　　控制模式：多模式准谐振（QR）/CCM/DCM自适应控制

特性

PNDP-42V-Z的核心优势在于其采用了Power Integrations独有的PowiGaN?技术，这项技术将高性能氮化镓场效应晶体管集成在单个芯片上，实现了远超传统硅基器件的开关性能。氮化镓材料具有更高的电子迁移率和临界电场强度，使得该器件能够在高频下高效运行，同时降低导通和开关损耗。这种高效的能量转换能力允许设计者在不使用散热片的情况下实现高达45W的输出功率，极大地提升了功率密度。此外，PNDP-42V-Z内置了 FluxLink? 隔离式反馈技术，通过初级侧感应和同步整流控制，无需光耦或次级侧控制器即可实现±3%的负载和线路调整率，提高了系统的可靠性和长期稳定性。芯片还具备自动重启模式，在发生故障时限制输出能量，增强了安全性。
　　该器件支持多种工作模式，包括准谐振（QR）、连续导通模式（CCM）和非连续导通模式（DCM），并能根据负载条件智能切换，以优化轻载和满载下的效率表现。例如，在轻载或空载时，系统进入突发模式（Burst Mode），显著降低开关频率和驱动损耗，从而实现低于30mW的空载功耗，满足严苛的节能法规要求。其InSOP-24D封装不仅提供了优异的散热性能，还增强了爬电距离和电气隔离能力，适合全球范围内的安规认证需求。设计方面，PNDP-42V-Z极大简化了电源开发流程，减少了外围元件数量，降低了BOM成本，并缩短了产品上市时间。工程师可通过少量外部元件完成从初级到次级的完整电源设计，且无需复杂的补偿网络或反馈回路调试。

应用

PNDP-42V-Z广泛应用于对能效、体积和可靠性有较高要求的低至中等功率电源系统中。典型应用包括智能手机、平板电脑和其他便携设备的USB-C充电器，尤其适合支持PD快充协议的高密度适配器设计。此外，它也适用于智能家居设备如智能音箱、Wi-Fi路由器、IP摄像头和门铃等物联网终端产品的内置电源模块。在工业领域，可用于传感器供电、PLC辅助电源、小型继电器驱动电源等场景。由于其出色的待机效率和宽输入电压范围，PNDP-42V-Z也非常适合出口型电子产品，能够在全球不同电网环境下稳定运行，满足各国能效认证要求。医疗设备中的低功耗辅助电源、楼宇自动化系统中的控制面板供电单元也是其潜在应用方向。凭借其高度集成和免光耦设计，该芯片特别适用于需要高可靠性和长寿命的封闭式电源系统，避免了光耦老化导致的性能下降问题。