PNDP-14V-Z是一种用于精密电路中的双列直插式封装(DIP)二极管阵列芯片。它通常被应用于过压保护、ESD防护以及信号切换等场景。该元器件采用硅材料制造,具有低电容、快速响应和高可靠性等优点。
这种二极管阵列由多个齐纳二极管组成,每个二极管都具有精确的击穿电压值,适合用在需要稳定电压参考或瞬态抑制的电子系统中。
型号:PNDP-14V-Z
封装类型:DIP
工作电压:14V
反向漏电流:10uA(最大值,在25℃时)
正向电压:1.1V(典型值)
峰值脉冲功率:300W
结电容:4pF(最大值)
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
存储温度范围:-65℃ 至 +175℃
PNDP-14V-Z的主要特点是其高精度的击穿电压和较低的动态电阻,这使得它能够在电路中提供稳定的电压钳位功能。此外,它的快速恢复时间使其非常适合高速信号环境。
该芯片还具有良好的热稳定性,在高温环境下也能保持性能一致性。同时,由于采用了双列直插式封装,安装方便且兼容性强。
另外,PNDP-14V-Z通过了多项国际认证标准,例如RoHS和REACH,确保其环保性和安全性。
PNDP-14V-Z广泛应用于工业控制设备、通信网络设施以及消费类电子产品等领域。
具体应用场景包括:
- 过压保护电路设计
- ESD静电防护模块
- 精密电源管理系统的电压参考
- 信号切换与隔离
- 高速数据传输线路中的瞬态电压抑制
由于其出色的性能,这款芯片成为许多工程师在设计关键电路时的首选。
PNDP-15V-Z, PNDP-12V-Z, BZT52C14V