类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1通道
　　输入正向电流（IF）：50mA（最大）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输出耐压（VCEO）：35V
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：300mV（典型值）
　　电流传输比（CTR）：50%～600%（在IF=5mA, VCE=5V时）
　　上升时间（tr）：3μs（典型值）
　　下降时间（tf）：3μs（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　隔离电压（Viso）：5000VRMS（1分钟，AC）
　　封装形式：DIP-4
　　引脚数量：4
　　工作电压（VCC）：最大35V
　　LED波长：约940nm（红外）

PNDP-12V-R具备优异的电气隔离性能，能够实现输入侧与输出侧之间高达5000VRMS的隔离电压，确保在高压环境下系统的安全运行。这种高隔离能力使其非常适合用于交流电源控制、工业自动化设备以及医疗电子设备中，以防止因漏电或短路引发的安全事故。
　　该光耦采用高亮度红外LED与硅光电晶体管组合结构，具有较高的电流传输比（CTR），典型值范围为50%至600%，这意味着即使在较小的输入驱动电流下也能实现有效的信号传递，从而兼容多种逻辑电平系统，如TTL、CMOS等数字电路。
　　器件的响应速度较快，上升时间和下降时间均为3微秒左右，能够满足中高速信号隔离的需求，例如在开关电源反馈回路、PLC输入模块、继电器驱动隔离等应用场景中表现出色。
　　PNDP-12V-R的工作温度范围宽达-55°C到+110°C，适应极端环境下的长期稳定运行，适用于户外设备、汽车电子及工业现场等复杂工况。
　　其DIP-4封装不仅便于手工焊接和自动化装配，还提供了良好的散热性能和机械稳定性，增强了产品的可靠性。同时，该器件符合UL、CSA、VDE等多项国际安全认证标准，确保在全球范围内的合规使用。
　　另外，PNDP-12V-R具有较强的抗电磁干扰（EMI）能力，能够在强电场或高频噪声环境中保持信号完整性，避免误触发或数据丢失问题。由于无机械触点，寿命远超传统继电器，维护成本低，适合构建高可靠性的控制系统。

PNDP-12V-R广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。常见用途包括开关电源中的反馈回路隔离，用于将次级侧的电压检测信号安全地传送到初级侧控制器，防止高压窜入低压控制部分，保障操作人员和设备安全。
　　在工业自动化领域，它常被用作可编程逻辑控制器（PLC）的输入模块，将现场传感器信号（如接近开关、光电开关）与内部逻辑电路隔离开来，消除接地环路和共模干扰的影响，提升系统抗干扰能力和稳定性。
　　该器件也适用于逆变器、UPS不间断电源、电机驱动器等电力电子设备中，作为驱动信号隔离元件，保护主控芯片免受功率部分高压冲击。
　　在通信接口中，如RS-232、RS-485等串行通信线路中，PNDP-12V-R可用于实现信号电平转换与隔离，防止不同设备间因地电位差导致的数据错误或硬件损坏。
　　此外，在医疗设备、测试测量仪器以及楼宇控制系统中，因其高隔离电压和高可靠性，也被广泛采用以满足严格的安全规范要求。对于需要长寿命、免维护设计的应用场景，PNDP-12V-R是理想的固态继电器替代方案之一。

PC817