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PN7726QF-A1 发布时间 时间:2025/4/30 11:42:29 查看 阅读:20

PN7726QF-A1是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为汽车电子应用设计。该芯片采用先进的制程技术,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性。它适用于各种车载电源管理系统,如DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等领域。PN7726QF-A1符合AEC-Q101标准,确保其在严苛环境下的可靠性和稳定性。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压:40V
  最大连续漏电流:35A
  导通电阻(典型值):1.8mΩ
  栅极电荷:35nC
  工作温度范围:-40℃至175℃
  封装形式:TO-263

特性

PN7726QF-A1具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用。
  3. 出色的热性能,能够承受较高的功耗。
  4. 符合AEC-Q101认证,适合汽车级应用。
  5. 短路保护功能,增强系统的可靠性。
  6. 支持大电流输出,适用于高功率场景。
  这些特性使PN7726QF-A1成为多种汽车电子系统中的理想选择。

应用

PN7726QF-A1广泛应用于以下领域:
  1. 汽车电子中的DC-DC转换器和电压调节模块。
  2. 车载充电系统和电池管理单元。
  3. 汽车电机驱动控制电路。
  4. 汽车照明系统的电源管理。
  5. 各种负载开关和保护电路。
  由于其出色的电气性能和可靠性,PN7726QF-A1非常适合要求严格的汽车环境。

替代型号

IRFZ44N, FDP5570, STP36NF06L

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