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PN411611 发布时间 时间:2025/8/6 22:21:22 查看 阅读:27

PN411611是一款由NXP Semiconductors生产的双极型射频晶体管,主要用于高频放大和射频功率放大应用。该器件采用先进的制造工艺,具有良好的高频性能和稳定性,适合用于各种射频和微波电路中。PN411611通常用于无线通信系统、射频测试设备以及其他需要高性能射频放大的应用中。

参数

类型:射频晶体管
  材料:硅(Si)
  结构:NPN双极型晶体管
  最大集电极电流:100mA
  最大集电极-发射极电压:30V
  最大频率:250MHz
  封装类型:TO-92

特性

PN411611是一款高性能的射频晶体管,具有优异的高频特性和良好的热稳定性。其NPN结构使其在高频条件下具有较低的噪声系数和较高的增益。该晶体管在250MHz频率下仍能保持良好的放大性能,适合用于射频信号的放大和处理。PN411611的TO-92封装设计使其便于安装和散热,能够在较高频率下稳定工作。此外,该器件的低噪声特性使其非常适合用于射频前端放大器和低噪声放大器(LNA)应用。在实际应用中,PN411611能够提供良好的线性度和稳定性,确保信号在放大过程中保持高质量。该晶体管还具有较好的抗干扰能力和较高的可靠性,适用于各种射频和微波电路设计。

应用

PN411611广泛应用于无线通信系统中的射频放大器、射频测试设备、射频信号发生器以及其他需要高性能射频放大的电路中。此外,该器件也适用于音频放大器的高频段补偿电路和射频滤波器中的放大环节。在实际应用中,PN411611可以作为前置放大器或中间级放大器,用于提高信号的强度和质量。由于其良好的高频特性和低噪声性能,PN411611也常用于射频接收机中的低噪声放大器(LNA)设计。

替代型号

BC547, 2N3904

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PN411611参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 二极管配置1 对共阳极
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)1200A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.25 V @ 3000 A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)22 μs
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200 mA @ 1600 V
  • 工作温度 - 结-40°C ~ 150°C
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳POW-R-BLOK? 模块
  • 供应商器件封装POW-R-BLOK? 模块