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PN3563 发布时间 时间:2023/4/24 11:38:57 查看 阅读:259

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:RF 晶体管 (BJT)
晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V
频率 - 转换:1.5GHz
噪声系数(dB典型值@频率):-
增益:14dB ~ 26dB
功率 - 最大:350mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):20 @ 8mA, 10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):50mA
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
包装:散装
供应商设备封装:*

资料

厂商
Central Semiconductor

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PN3563参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 晶体管 (BJT)
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)15V
  • 频率 - 转换1.5GHz
  • 噪声系数(dB典型值@频率)-
  • 增益14dB ~ 26dB
  • 功率 - 最大350mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)20 @ 8mA,10V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)50mA
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 包装散装