时间：2025/9/14 18:19:36
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PMZB950UPEYL 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道MOSFET类别。该器件专为高效率、高频应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。PMZB950UPEYL采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和优异的热稳定性，适合在紧凑型电子设备中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：10A
导通电阻(RDS(on))：最大值5.3mΩ @ VGS=10V
导通电阻(RDS(on))：最大值7.3mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散(PD)：60W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOP Advance
引脚数：8
技术：沟槽式MOSFET
PMZB950UPEYL具备多项先进的电气和热性能，确保其在复杂电路中稳定运行。首先，其低导通电阻特性可显著降低导通状态下的功率损耗，提高整体能效。在VGS=10V时，RDS(on)最大仅为5.3mΩ，而在VGS=4.5V时也保持在7.3mΩ以下，使其适用于多种驱动电压环境。
其次，该MOSFET具有较高的电流承载能力，能够支持高达10A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。此外，其最大功率耗散能力为60W，结合良好的热设计可确保在高温环境下仍能稳定运行。
PMZB950UPEYL采用SOP Advance封装形式，具备优良的散热性能，有助于降低结温并延长器件寿命。其8引脚设计优化了电流路径，减少了封装内部的寄生电感，提高了开关性能。
该器件还具备较高的栅极电压容限，允许栅极电压在±20V范围内工作，增强了其抗电压波动能力，提高了系统的稳定性与可靠性。
此外，PMZB950UPEYL的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于工业级和汽车电子等对环境温度要求较高的应用场合。
PMZB950UPEYL凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于多个领域。其中包括：电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等；电机驱动电路，用于控制电机的启停和方向；工业自动化设备中的功率控制模块；以及各类便携式电子设备中的高效能电源管理单元。
此外，该MOSFET也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等，满足汽车应用对高可靠性和宽温域的要求。
PMZB950UPEYLFH
