PMXB40UNEZ 时间：2025/9/14 22:20:09 阅读：4

PMXB40UNEZ 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。该器件采用先进的技术制造，具备低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等各类电子系统。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：260A（在Tc=25℃时）
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为 1.25mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　功率耗散（PD）：150W

特性

PMXB40UNEZ 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
　　该器件采用了先进的沟槽栅技术，提供了出色的开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频操作场景。
　　PMXB40UNEZ 的封装形式为 PowerFLAT 5x6，这是一种紧凑型表面贴装封装，具备优异的热管理能力，能够有效散热，从而提高器件的可靠性和使用寿命。
　　此外，该 MOSFET 具有较高的耐压能力和电流承载能力，能够在严苛的工作环境下稳定运行，适用于汽车电子、工业控制、电源管理和电池供电设备等应用。
　　其栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平驱动，便于与各类控制电路兼容。该器件还具有良好的抗雪崩能力和抗短路能力，能够在异常工作条件下提供额外的保护。

应用

PMXB40UNEZ 常用于电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统中，其低导通电阻和高电流能力使其在高效率电源转换应用中表现出色。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统、电池管理系统和车用逆变器等关键部件，其高可靠性和耐高温能力能够满足汽车环境下的严苛要求。
　　在工业控制方面，PMXB40UNEZ 可用于电机驱动、工业电源、伺服控制器和自动化设备，其优异的开关性能和热管理能力有助于提高设备的稳定性和效率。
　　此外，该 MOSFET 还适用于消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能电源插座等，其紧凑的封装和高性能使其成为高密度电路设计的理想选择。