型号：PMWD26UN
　　极性：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：32mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：40mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.3V
　　输入电容（Ciss）：570pF（@ VDS = 10V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@ VDS = 10V）
　　反向传输电容（Crss）：40pF（@ VDS = 10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：7ns
　　关断延迟时间（td(off)）：27ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SS-Mini（SOT-1220）
　　安装方式：表面贴装（SMT）

PMWD26UN具备出色的导通性能，其低导通电阻特性使其在高电流应用中能够有效降低功耗并减少发热，从而提升系统的整体能效。该器件在VGS为-4.5V时，RDS(on)仅为32mΩ，在更低的驱动电压如-2.5V下仍能保持40mΩ的低阻值，表明其具有良好的逻辑电平兼容性，非常适合由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场合。这种特性使得PMWD26UN在电池供电设备中尤为适用，例如智能手机、平板电脑、便携式医疗设备等，可以在不增加额外电平转换电路的情况下实现高效的电源开关控制。
　　该MOSFET采用先进的沟槽型工艺制造，优化了载流子迁移路径，提升了电流密度与开关速度。其快速的开关响应能力体现在较短的开启延迟时间和关断延迟时间上，分别为7ns和27ns，有助于减少开关过程中的能量损耗，特别适合高频开关应用。同时，较低的输入、输出和反向传输电容减少了驱动电路的负担，降低了电磁干扰（EMI），有利于系统EMC性能的提升。
　　PMWD26UN的热稳定性表现优异，能够在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定工作，确保在极端环境下的可靠运行。其封装形式为SS-Mini（SOT-1220），是一种小型化表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化贴片生产，适用于高密度PCB布局。此外，该器件通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其不仅适用于消费电子领域，也可用于汽车电子中的低功率控制模块，如车用传感器电源管理、LED照明驱动等场景。
　　安全性方面，PMWD26UN内置一定的ESD保护能力，能够承受一定程度的静电放电冲击，增强了在实际装配和使用过程中的鲁棒性。同时，其栅极氧化层设计合理，避免因过压导致的永久性损坏。综合来看，PMWD26UN是一款集高性能、小体积、高可靠性于一体的P沟道MOSFET，是现代低电压、高效率电源管理系统中的理想选择。

PMWD26UN广泛应用于各类需要高效电源开关控制的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电池电源管理，例如在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中用于主电源通断控制或外设电源域的开关调节。由于其支持逻辑电平驱动且导通电阻低，非常适合用于负载开关电路，以实现不同功能模块的独立供电与节能管理。
　　在DC-DC转换器中，PMWD26UN可用于同步整流或高端开关配置，尤其适用于低电压输入（如3.3V或5V）的小功率降压变换器，帮助提升转换效率并减小整体方案尺寸。此外，它也常被用于ORing电路中，作为防止反向电流流动的防倒灌二极管替代方案，利用其低RDS(on)特性显著降低压降和功耗，相比传统肖特基二极管具有明显优势。
　　在工业控制领域，PMWD26UN可用于继电器驱动、电机控制电路中的H桥低端开关或信号切换模块，凭借其快速响应和高耐久性满足自动化设备的需求。同时，由于其具备车规级可靠性认证，也被应用于汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统的电源切换、车内照明控制、传感器模块供电等场景。
　　另外，该器件还可用于USB电源开关、充电管理电路、LDO使能控制以及各种类型的热插拔电路设计中。其小型封装特性使其特别适合空间受限的设计，而稳定的电气性能保证了长期使用的可靠性。无论是消费类、工业类还是汽车类应用，PMWD26UN都能提供高效、紧凑且可靠的功率开关解决方案。

FDMS7682
　　SI2301DS
　　FDC658P