PMV88ENEAR 时间：2025/9/14 8:23:14 阅读：16

PMV88ENEAR 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于中高功率的开关应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供低导通电阻和高效率，适用于汽车电子、电源管理和工业控制系统等领域。PMV88ENEAR 采用小型化的 SOT-89 封装，适合空间受限的应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：12 A
　　功耗（Ptot）：2.5 W
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 8.8 mΩ（@ VGS = 10 V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-89

特性

PMV88ENEAR 具备多项优良特性，适用于高性能功率管理应用。
　　首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在 VGS = 10 V 时，其最大 RDS(on) 仅为 8.8 mΩ，使得它在中高电流条件下仍能保持良好的能效表现。
　　其次，PMV88ENEAR 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在小型封装中仍具备较高的电流承载能力。SOT-89 封装不仅体积小巧，还具备良好的热性能，适合用于空间受限的电路设计。
　　此外，该 MOSFET 支持高达 12 A 的连续漏极电流，适用于多种中高功率应用场景，如 DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等。其 ±20 V 的栅源电压容限增强了器件的抗干扰能力，提高了在复杂电气环境中的稳定性。
　　最后，PMV88ENEAR 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于汽车电子和工业自动化等严苛环境。

应用

PMV88ENEAR 广泛应用于多个领域，尤其适用于需要高效率、高稳定性和紧凑设计的功率管理场景。
　　在汽车电子方面，该器件可用于车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）以及车载电源系统。其高电流承载能力和宽温度范围使其能够适应汽车环境中的极端条件。
　　在工业自动化和控制系统中，PMV88ENEAR 可作为电机驱动、继电器替代开关以及电源管理模块中的关键元件。其低导通电阻和高效率有助于降低系统能耗，提高整体性能。
　　此外，该 MOSFET 还适用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等电源转换与调节应用。由于其 SOT-89 小型封装，也适合用于空间受限的便携式设备和嵌入式系统中。
　　总的来说，PMV88ENEAR 凭借其高性能和紧凑设计，是多种中高功率应用的理想选择。