PMV75UP,215 时间：2025/9/14 19:44:48 阅读：6

PMV75UP,215 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的TrenchMOS技术制造，具有低导通电阻和高效率的特性。该器件广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中，能够在低电压条件下提供优异的性能。PMV75UP,215 采用小型DFN1006-3封装，体积小巧，适合高密度PCB设计。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：-20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：-750mA @ 温度25℃
　　导通电阻(Rds On)：最大0.21Ω @ Vgs = -4.5V
　　最大功耗(Pd)：300mW
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：DFN1006-3

特性

PMV75UP,215 是一款高性能的P沟道MOSFET，采用先进的TrenchMOS工艺制造，使其在小型封装中实现低导通电阻和高效率。
　　其导通电阻在VGS = -4.5V时最大为0.21Ω，使得在低电压应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
　　该器件的漏源电压为-20V，栅源电压范围为±12V，能够适应多种电源管理应用的需求，同时具备一定的过压保护能力。
　　连续漏极电流在25℃下可达-750mA，适用于中等功率的开关应用，如负载开关、DC-DC转换器及电池供电设备。
　　PMV75UP,215 采用DFN1006-3小型封装，具有优良的热性能和空间利用率，适合高密度电路板布局，同时具备良好的焊接可靠性和可制造性。
　　该MOSFET的工作温度范围为-55℃至150℃，确保在极端环境下仍能稳定运行，适用于工业和消费类电子产品。

应用

PMV75UP,215 主要用于各类电源管理电路中，如负载开关、DC-DC转换器、电压调节模块、电池管理系统以及手持设备中的功率控制电路。
　　由于其低导通电阻和高效率特性，该器件在移动设备、可穿戴设备和便携式电子设备中被广泛采用，用于实现高效的电源切换和能量管理。
　　该MOSFET也适用于工业控制系统中的小型电机驱动、传感器供电管理以及通信设备中的低电压功率控制。
　　此外，PMV75UP,215 还可应用于LED照明驱动、热插拔保护电路以及智能卡读写器等对空间和功耗有严格要求的场景。