时间：2025/9/13 22:52:37
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PMV74EPER 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理和负载开关等应用。该器件采用小型的 TSSOP 封装，适合高密度 PCB 设计。PMV74EPER 以其低导通电阻（Rds(on)）和高可靠性著称，适用于便携式电子设备、电池供电系统和 DC-DC 转换器等场景。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：20V
栅源电压 Vgs：±12V
连续漏极电流 Id：-4.6A
导通电阻 Rds(on)：40mΩ @ Vgs = -4.5V，65mΩ @ Vgs = -2.5V
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSSOP
PMV74EPER 具备多项优良特性，首先是其低导通电阻，在不同的栅极电压下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。在 Vgs = -4.5V 时，Rds(on) 最低可达 40mΩ，而在 Vgs = -2.5V 时，其导通电阻也仅为 65mΩ，使其适用于低电压控制电路。
该 MOSFET 的漏源电压为 20V，支持在中低电压范围内工作，栅源电压可承受 ±12V，具备一定的过压保护能力。其连续漏极电流为 -4.6A，适用于中小功率的开关控制。
封装方面，采用 TSSOP 封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适合紧凑型电路设计。此外，该器件符合 RoHS 标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代环保电子产品的制造。
在可靠性方面，PMV74EPER 提供良好的热稳定性和抗静电能力，能够在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定工作，适用于工业级和消费类电子设备。
PMV74EPER 常用于便携式设备中的电源开关控制，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池管理电路。由于其低导通电阻和小型封装，非常适合用于 DC-DC 转换器和负载开关电路，以提高能量转换效率并减少电路板空间占用。
此外，该器件也广泛应用于电源管理系统中的背光控制、电机驱动和 LED 驱动等场景。由于其具备良好的热稳定性和宽工作温度范围，也可用于工业自动化设备和汽车电子系统中的低电压功率控制模块。
在嵌入式系统中，PMV74EPER 可作为微控制器（MCU）或数字信号处理器（DSP）外围电路中的高边开关，用于控制外设的供电，实现节能和快速响应功能。
Si2301DS, BSS84, FDV303P, PMV65EPJ
