PMV65XPE 时间：2025/12/28 14:25:57 阅读：13

PMV65XPE是一款由Nexperia（安世半导体）生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的Trench肖特基技术制造。该器件主要面向需要高效率、低损耗的电源管理应用，适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等场合。PMV65XPE具有低导通电阻、高电流能力和良好的热稳定性，是工业和汽车电子系统中常用的功率开关元件。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：10A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值为7.5mΩ（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-223
　　功率耗散(Pd)：62W

特性

PMV65XPE具备一系列出色的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统效率。
　　其次，该MOSFET采用了先进的Trench肖特基技术，使得在高频率开关应用中表现出色，适用于高频DC-DC转换器设计。
　　此外，PMV65XPE具有较高的电流承载能力，在10A的连续漏极电流下仍能保持稳定运行，适用于中高功率应用。
　　该器件的封装形式为TO-223，具备良好的散热性能，能够在高功率耗散条件下维持较低的工作温度，延长器件寿命。
　　其栅源电压耐受范围为±20V，提供了更大的控制灵活性和抗干扰能力，适用于多种驱动电路设计。
　　PMV65XPE的工作温度范围宽达-55°C至+175°C，使其适用于各种严苛环境条件下的工业和汽车电子应用。

应用

PMV65XPE广泛应用于多种电源管理系统和功率转换设备中。在同步整流电路中，它用于提高转换效率，减少能量损耗。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET作为主开关元件，用于实现高效的电压变换，广泛用于电源适配器、服务器电源和嵌入式系统中。
　　负载开关是另一个典型应用领域，PMV65XPE可用于控制高电流负载的通断，例如LED照明、电机控制和电池充电管理。
　　在电池管理系统中，该器件用于实现高效率的充放电控制，适用于电动工具、无人机和便携式电子设备。
　　此外，PMV65XPE还适用于工业自动化设备、汽车电子系统和智能电网设备中的功率控制模块。