PMV56XN/DG 时间：2025/5/22 14:55:45 阅读：12

PMV56XN/DG 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 SO-8 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于各种需要高效能功率转换的应用场景，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电源管理模块等。这款 MOSFET 的设计使其能够在较高的频率下工作，并保持较低的能量损耗。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：4.8A
　　导通电阻（典型值）：45mΩ
　　栅极电荷：10nC
　　总电容（输入电容）：350pF
　　开关速度：快速
　　封装形式：SO-8

特性

PMV56XN/DG 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 下为 45mΩ，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　2. 快速的开关速度，能够支持高频应用，降低开关损耗。
　　3. 较小的封装尺寸，便于在空间受限的设计中使用。
　　4. 内部二极管反向恢复时间短，适合同步整流和其他高速切换电路。
　　5. 高可靠性与稳定性，适用于工业级和消费级电子设备。

应用

PMV56XN/DG 可广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
　　2. DC-DC 转换器，包括降压、升压及升降压拓扑。
　　3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
　　4. 小型电机驱动和控制电路。
　　5. 各类便携式电子设备的电源管理模块。
　　6. LED 照明驱动电路。