时间：2025/9/14 10:33:25
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PMV52ENEAR是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的功率MOSFET晶体管，专为高效率和高可靠性应用设计。该器件采用先进的TrenchMOS技术制造，具有低导通电阻、高电流容量和优良的热稳定性。PMV52ENEAR适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备等应用，广泛用于消费类电子产品、工业控制系统和汽车电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：20V
最大漏极电流（Id）：4.9A
导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=4.5V, 52mΩ @ Vgs=2.5V
栅极电荷（Qg）：9.3nC @ Vgs=4.5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：DFN1006-6（SOT1223）
PMV52ENEAR采用先进的TrenchMOS技术，具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其20V的漏源电压额定值使其适用于低压电源管理应用，如便携式电子设备中的DC-DC转换器和负载开关。此外，该器件具有高电流处理能力，能够在高负载条件下保持稳定工作。PMV52ENEAR的封装形式为DFN1006-6（SOT1223），体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。该器件还具备良好的热稳定性，可以在高温环境下可靠运行，适用于工业级和汽车级应用。其栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。PMV52ENEAR的高可靠性使其成为电源管理、电机控制和电池供电系统的理想选择。
PMV52ENEAR广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高效功率管理和高可靠性的场景中。典型应用包括移动电话、平板电脑和笔记本电脑中的DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。此外，该器件也可用于工业自动化控制系统、电源适配器、LED照明驱动电路以及汽车电子系统中的功率控制模块。在汽车应用中，PMV52ENEAR可用于车载充电器、车身控制模块和电动助力转向系统等。
PMV52ENEA
