时间：2025/9/14 2:31:10
阅读：11
PMV52ENEA 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高性能功率管理应用，具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性。PMV52ENEA 采用 TSSOP（Thin Shrink Small Outline Package）封装，适用于便携式电子设备和高密度电路设计。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±8V
漏极电流（ID）：-4.9A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：32mΩ（典型值，VGS = -4.5V）
阈值电压（VGS(th)）：-0.85V 至 -1.7V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSSOP
PMV52ENEA MOSFET 具备一系列优异的电气和热性能。其低导通电阻 RDS(on) 使得在高电流应用中功率损耗显著降低，从而提高整体效率。该器件支持高漏极电流能力，适用于负载开关、电源管理和电池供电设备等应用场景。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 -4.5V 至 -8V 下工作，便于与多种控制器和驱动电路兼容。此外，PMV52ENEA 在高温环境下仍能保持稳定运行，确保了在苛刻工作条件下的可靠性。
采用 TSSOP 封装形式，PMV52ENEA 占用电路板空间较小，适合用于高密度 PCB 设计。其封装还具备良好的散热性能，有助于降低工作温度，提高器件的长期稳定性。这种封装形式也便于自动化生产和表面贴装工艺。
PMV52ENEA 还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和负载开关控制。其高可靠性和低功耗特性使其成为许多便携式电子产品和工业控制系统中的理想选择。
PMV52ENEA 常用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备、电机控制电路以及工业自动化设备。其低导通电阻和高电流能力也使其适用于高效能电源管理和高密度电路设计。
Si4435BDY, FDS6680, IRML2803, AO4406A
