PMV45EN 时间：2025/6/27 15:10:42 阅读：4

PMV45EN 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于小信号 MOSFET 系列，广泛应用于各种低功耗和高效率的电子电路中。该器件采用 SOT-23 封装形式，具有体积小巧、散热性能良好等特点，适用于空间受限的应用场景。PMV45EN 的典型应用场景包括开关电源、负载开关、电池管理以及电机驱动等。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±8V
　　持续漏极电流：1.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.9Ω（在 Vgs=4.5V 时）
　　栅极电荷：6nC
　　开关速度：快速开关
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

PMV45EN 具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频条件下保持较低的功耗。
　　其 SOT-23 封装使得该器件非常适合用于便携式设备和其他对尺寸要求严格的设计。
　　MOSFET 的栅极驱动电压兼容性较好，适合使用电池供电的应用环境。
　　此外，PMV45EN 提供了出色的热稳定性和可靠性，能够适应较宽的工作温度范围。
　　由于其低漏电流特性，这款器件在待机模式下的功耗非常低，有助于延长电池寿命。

应用

PMV45EN 主要应用于需要高效能和小型化的场景，例如消费类电子产品中的电源管理模块。
　　它可以作为开关元件用于 DC-DC 转换器、负载开关和过流保护电路。
　　此外，在音频设备、照明系统和小型电机控制等领域也有广泛应用。
　　得益于其低导通电阻和高效率特性，该器件还被用于电池供电设备以减少能量损耗。