时间：2025/9/14 13:22:37
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PMV40UN2,215 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的双N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能。PMV40UN2,215 封装在一个小型的SOT223封装中，适用于空间受限的应用，如电源管理和负载开关。该MOSFET支持高电流负载，适用于各种便携式设备和中低功率应用。
类型：功率MOSFET
沟道类型：双N沟道
漏源电压（VDS）：40V
连续漏极电流（ID）：4.8A
导通电阻（RDS(on)）：55mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.5V至2.5V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT223
功率耗散（Ptot）：1.4W
输入电容（Ciss）：620pF（典型值）
PMV40UN2,215 采用先进的Trench技术，提供了优异的导通和开关性能。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。该器件的高电流承载能力使其适用于多种中低功率应用，例如DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。
此外，该MOSFET具有快速的开关速度，能够有效降低开关损耗，从而提高系统的动态响应能力。SOT223封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，确保器件在高负载条件下稳定工作。
PMV40UN2,215 还具备较强的抗雪崩能力，能够承受短时间的过载和反向电压冲击，提高系统的可靠性。该器件符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品设计。
PMV40UN2,215 适用于多种电源管理应用，包括便携式电子设备的电源开关、负载开关、电机控制、LED驱动器以及DC-DC转换器。由于其低导通电阻和高效率，该器件也广泛用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑、无线路由器和智能穿戴设备。
在工业控制领域，PMV40UN2,215 可用于PLC模块、传感器驱动和小型自动化设备的电源管理。其优异的热稳定性和抗干扰能力，使其在恶劣环境下也能保持稳定运行。
Si4410BDY-E3, FDS4410A, AO4410
