PMV35EPER 时间：2025/9/15 2:39:42 阅读：9

PMV35EPER 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和低导通电阻的应用中。该器件采用先进的 Trench 工艺技术，提供较低的导通损耗和优异的热性能，适用于电源管理和负载开关等场景。PMV35EPER 采用 SOT223（表面贴装）封装，便于在 PCB 上安装并具有良好的散热能力。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.3A（在 25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：80mΩ（最大值，VGS=10V）
　　功率耗散（Ptot）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOT223

特性

PMV35EPER 具有多个关键特性，使其在功率 MOSFET 市场中具有较高的竞争力。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其在电池供电设备中具有重要意义。
　　其次，PMV35EPER 采用 Trench 工艺制造，优化了晶圆结构，提高了电流处理能力和热稳定性。这使得该器件在高负载条件下仍能保持良好的性能，减少过热风险。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（最高可达 20V），允许使用标准逻辑电平驱动器进行控制，适用于多种应用场景，包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统。
　　PMV35EPER 的 SOT223 封装形式具有良好的散热性能，适合高密度 PCB 设计，并支持表面贴装工艺，提高生产效率和可靠性。
　　最后，该器件符合 RoHS 和 REACH 环保标准，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。

应用

PMV35EPER 主要应用于需要高效能、低导通电阻和高可靠性的功率电子系统中。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动电路、LED 照明控制、工业自动化设备以及消费类电子产品中的电源管理模块。
　　在电源管理系统中，PMV35EPER 可作为负载开关或稳压器中的关键元件，实现高效的能量转换与分配。其低 RDS(on) 特性有助于减少能量损耗，延长电池续航时间。
　　在工业控制和自动化设备中，该器件可用于控制继电器、执行器、传感器等外围设备的电源，提供稳定的开关控制和保护功能。
　　此外，PMV35EPER 还适用于热插拔电路、电源排序系统和多路电源切换控制，为系统设计提供灵活的解决方案。