PMV30XPAR 时间：2025/9/14 14:10:22 阅读：9

PMV30XPAR 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效能功率管理应用。该器件采用先进的 Trench MOS 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力。PMV30XPAR 是一个 N 沟道增强型 MOSFET，适用于电源转换、电机控制、负载开关以及电池管理系统等多种应用。其封装形式为 SOT-223，便于散热和在 PCB 上安装。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.1A
　　导通电阻 Rds(on)：55mΩ @ Vgs = 10V
　　导通电阻 Rds(on)：80mΩ @ Vgs = 4.5V
　　功率耗散：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

PMV30XPAR 采用先进的 Trench MOS 技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗并提高整体效率。其最大漏源电压为 30V，最大连续漏极电流为 4.1A，使其适用于中等功率的应用。该器件在不同栅极电压下的 Rds(on) 表现良好，10V 下为 55mΩ，4.5V 下为 80mΩ，这使其适用于多种驱动电压条件下的应用。
　　此外，PMV30XPAR 采用 SOT-223 封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适合用于高密度 PCB 设计。它具备较高的功率耗散能力（1.4W），能够在较高温度下稳定运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保了在恶劣环境下的可靠性。该 MOSFET的栅极驱动电压范围为 ±20V，提供了良好的兼容性，可与多种控制器和驱动器配合使用。

应用

PMV30XPAR 适用于多种功率电子系统，包括但不限于以下应用领域：电源管理模块，如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关；电机控制电路，如直流电机驱动器和步进电机控制器；电池管理系统（BMS），如电池充放电控制和保护电路；工业自动化设备中的功率开关应用；LED 照明驱动电路和高能效电源适配器；消费类电子产品中的高效能功率管理电路，如笔记本电脑、平板电脑和智能家电。