时间：2025/9/14 0:34:04
阅读：11
PMV28XPEAR 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能、低功耗的功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的沟槽技术制造，旨在提供高效率和优异的热性能。PMV28XPEAR 采用SOT404（LFPAK）封装，适用于多种功率管理和负载开关应用。其设计确保在高电流和高频工作条件下依然保持稳定的性能，同时具备良好的导通电阻（Rds(on)）特性，以减少能量损耗。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：11 A
最大漏源电压（Vds）：30 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
导通电阻（Rds(on)）：28 mΩ @ Vgs = 10 V
功率耗散（Ptot）：3.3 W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：LFPAK（SOT404）
PMV28XPEAR 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这使得在高电流条件下仍能保持较低的传导损耗，从而提升整体系统效率。
其采用的LFPAK封装技术提供了良好的热管理能力，使得器件在高功率应用中也能保持良好的散热性能，延长使用寿命。
此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量承受能力，能够有效应对突发的电压和电流冲击，提高系统的稳定性和可靠性。
PMV28XPEAR 还具备快速开关能力，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器等，有助于减小外围电路的尺寸和成本。
由于其封装无引脚设计，该器件还具备较高的机械稳定性和更好的抗振动能力，适用于车载电子和工业控制等对可靠性要求较高的环境。
PMV28XPEAR 广泛应用于各类需要高效能功率管理的电子设备中，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、马达控制器、LED照明驱动器以及工业自动化设备中的功率开关模块。
它特别适用于需要高效率、小体积和高可靠性的应用场合，例如便携式电源设备、电动工具、电动车电池管理系统（BMS）以及服务器和通信设备中的电源模块。
由于其优异的热性能和电气特性，PMV28XPEAR 也常被用于汽车电子系统中，如车载充电系统、启动电机控制电路以及车载娱乐系统的电源管理部分。
在消费类电子产品中，该MOSFET也常见于高功率LED驱动电路、智能家电的电机控制模块以及智能电源插座等应用中。
PMV28XPEAY, PMV30XPEA, PMV35XPEA, IRLML6401, AO4406A
