时间：2025/5/26 15:43:55
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PMV28UN是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，采用SOT-23封装形式。该器件广泛应用于低电压、小信号处理及功率开关领域。由于其较低的导通电阻和出色的开关性能，PMV28UN在便携式电子设备、电源管理电路以及负载开关等应用中表现出色。
PMV28UN的设计注重高效率与紧凑尺寸，能够提供稳定的电气性能，并支持快速开关动作，非常适合需要节能和空间优化的应用场景。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：0.41A
导通电阻(Rds(on))：2.5Ω（在Vgs=4.5V时）
总功耗(Ptot)：370mW
结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
PMV28UN具有以下显著特性：
1. 小型化设计：采用SOT-23封装，节省PCB板空间。
2. 低导通电阻：在额定工作条件下，Rds(on)仅为2.5Ω，有助于减少功率损耗。
3. 快速开关能力：具备较低的输入电容和输出电容，支持高频开关操作。
4. 高可靠性：能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于各种环境条件。
5. 简单驱动：较低的栅极阈值电压使其易于与低压控制逻辑兼容。
PMV28UN适用于以下应用领域：
1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
2. 电池供电设备中的电源管理。
3. LED驱动电路中的开关元件。
4. 数据通信接口保护。
5. 各类小型DC-DC转换器和稳压电路。
6. 一般用途的小信号放大与切换。
PMV29UN, BSS138, 2N7002
