时间：2025/8/15 15:49:48
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PMV28ENE 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的 Trench 工艺，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。PMV28ENE 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：28V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：10A（在 Vgs=10V 时）
导通电阻 Rds(on)：最大 28mΩ（在 Vgs=10V 时）
功率耗散：30W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-223
工艺技术：Trench 工艺
PMV28ENE 采用先进的 Trench 工艺，具有极低的导通电阻，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗。
其高栅极电压容限（±20V）增强了在高频开关应用中的稳定性与可靠性。
该器件具备优异的热性能，能够有效应对高温环境下的工作需求，延长系统寿命。
TO-223 封装形式便于散热，适合中高功率应用场景。
此外，PMV28ENE 还具有快速开关特性，适用于高频率开关电源和电机控制电路。
PMV28ENE 主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等电源管理模块。
由于其高电流能力和低导通电阻，它也广泛用于电池管理系统（BMS）和电动工具中的电机驱动电路。
此外，该 MOSFET 可用于工业自动化设备中的电源控制单元，以及消费类电子产品中的电源适配器和充电管理电路。
汽车电子系统中，如车载充电器和电动助力转向系统（EPS）中也有广泛应用。
Si2302DS, IRF7404, FDS6680, AO4406A
