时间：2025/9/15 3:30:49
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PMV250EPEAR 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于各种高频率开关应用，因其卓越的性能和可靠性而广泛应用于电源管理和功率转换系统中。PMV250EPEAR 采用小型无铅封装，符合 RoHS 标准，并具有良好的热性能，以满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
封装类型：DFN1006BD
漏极-源极电压（Vds）：20V
栅极-源极电压（Vgs）：±8V
连续漏极电流（Id）：200mA
导通电阻（Rds(on)）：2.5Ω（最大值）
功率耗散（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
PMV250EPEAR 是一款高效的功率 MOSFET，具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性等特性。其小型 DFN 封装设计使得在高密度 PCB 布局中非常实用，同时有助于减少寄生电感和电容，从而提升整体性能。此外，该器件具有良好的抗静电能力，能够承受一定的过载和瞬态电压，适用于各种苛刻的工业和消费类应用环境。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，能够在较低的 Vgs 电压下正常工作，适合与多种类型的控制器或驱动电路配合使用。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。在热性能方面，DFN 封装提供了良好的散热能力，确保器件在高负载条件下也能保持稳定运行。
PMV250EPEAR 常用于电源管理电路、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、LED 驱动电路以及各种便携式电子设备中的功率控制应用。其小型封装和高性能特性也使其适用于对空间和功耗要求较高的物联网（IoT）设备和智能传感器系统。
PMV250EPE, PMV250EP, PMV250EPJ, PMV250EPA
