PMV250EPEA是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件主要用于需要高效能开关的电力电子应用中,如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理等。其设计优化了导通电阻与开关速度之间的平衡,确保在高频工作条件下的高效率和低损耗。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:40A
导通电阻:3.8mΩ
总功耗:175W
结温范围:-55℃至175℃
PMV250EPEA具有较低的导通电阻,能够有效减少传导损耗,并且具备快速的开关性能,可以满足高频应用需求。
该器件还拥有良好的热性能,可承受较高的结温,适用于恶劣的工作环境。
其TO-220封装提供优秀的散热能力,便于集成到各种功率电路中。
这款功率MOSFET适合用于多种电力电子领域,例如工业控制中的电机驱动、汽车电子系统中的负载切换、通信设备中的电源管理以及消费类电子产品中的适配器和充电器设计。此外,它也可用作续流二极管的功能替代,在反激式或正激式变换器拓扑中发挥重要作用。
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP5800