时间：2025/4/30 10:32:42
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PMV19XNEA 是一款由恩智浦（NXP）生产的N沟道逻辑增强型MOSFET。该器件适用于低电压应用场合，具有较低的导通电阻和快速开关速度的特点，广泛用于负载开关、电源管理以及电池供电设备等场景。
这款MOSFET采用了SO-8封装形式，具备出色的热性能和电气特性，使其非常适合空间受限的设计环境。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.5A
导通电阻：40mΩ
栅极-源极电压：±10V
功耗：650mW
工作温度范围：-55℃ to 150℃
PMV19XNEA 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适应现代电子设备对高效率和小型化的需求。
3. 高可靠性设计，能在较宽的工作温度范围内稳定运行。
4. 小型化SO-8封装，节省PCB布局空间。
5. 符合RoHS标准，环保且适合全球市场使用。
PMV19XNEA 主要应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 便携式电子设备的电源管理模块。
3. 电池保护电路，例如锂电池管理系统。
4. 工业控制和消费类电子产品中的信号切换。
5. LED驱动器和其他需要高效开关的应用场景。
PMV19UNEA, PSMN0R9-30YL
