PMV16XN 时间：2025/9/15 3:16:22 阅读：11

PMV16XN 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于中高功率应用。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能。PMV16XN 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等应用场景。其封装形式为 SOT223（表面贴装封装），适合高密度 PCB 设计。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：5.3A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω @ Vgs=10V
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　功耗（Ptot）：1.6W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT223

特性

PMV16XN MOSFET 具有出色的电气性能和可靠性。其低导通电阻可显著降低功率损耗，提高系统效率。在 10V 栅极电压下，Rds(on) 典型值为 0.045Ω，适用于高效率开关应用。
　　该器件采用了先进的 Trench 技术，提供了良好的热稳定性和较高的电流承载能力。SOT223 封装形式不仅适合表面贴装工艺，还具有良好的散热能力，适用于紧凑型电源设计。
　　PMV16XN 的栅极驱动电压范围为 4.5V 至 20V，兼容常见的逻辑电平驱动电路（如 5V MCU 输出），简化了驱动电路设计。此外，其具备较高的雪崩能量耐受能力，适用于需要频繁开关或承受瞬态高压的场合。
　　该 MOSFET 内部结构优化，减少了开关损耗，提高了整体性能。其具备较低的输入电容（Ciss）和门电荷（Qg），有助于提高开关速度，降低高频应用中的动态损耗。这使得 PMV16XN 在 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关等高频应用中表现出色。

应用

PMV16XN 主要用于各种功率电子系统中，包括电源管理模块、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制电路、电池供电设备和工业自动化控制系统。其低导通电阻和高电流能力使其适用于高效率、高密度的电源转换应用。在通信设备、计算机外围设备和消费类电子产品中也有广泛应用。此外，该器件还可用于 LED 驱动、电源分配系统和功率放大器中的开关控制。