时间：2025/9/14 16:20:09
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PMV164ENEAR 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于中高功率的开关应用。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器和负载开关等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：20V
栅源电压 Vgs：±12V
连续漏极电流 Id：4.8A
导通电阻 Rds(on)：45mΩ（典型值）
功率耗散：1.2W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：DFN1006-6（SOT1223）
安装类型：表面贴装
PMV164ENEAR 的核心优势在于其优异的导通性能和热稳定性。该器件采用了先进的 Trench 工艺技术，使得导通电阻 Rds(on) 低至 45mΩ，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，其最大连续漏极电流可达 4.8A，适用于中等功率级别的开关应用。PMV164ENEAR 的封装形式为 DFN1006-6（SOT1223），具有良好的散热性能，同时体积小巧，适合高密度 PCB 布局。
该 MOSFET 支持 ±12V 的栅源电压，具备较强的抗干扰能力，栅极驱动简单，适用于各种逻辑电平控制电路。其工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，表现出色的热稳定性和环境适应性，适用于工业级和汽车电子应用。此外，该器件的封装无铅、符合 RoHS 标准，满足现代电子产品的环保要求。
PMV164ENEAR 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC 转换器、电机控制模块、电池管理系统（BMS）、负载开关以及汽车电子设备。在电源管理应用中，它可用于高效开关稳压器的设计，降低系统能耗；在电机控制中，它可作为高边或低边开关，实现对电机的精准控制；在电池管理系统中，该器件可用于充放电回路的通断控制，确保电池的安全运行；在汽车电子中，PMV164ENEAR 可用于车身控制模块、车灯驱动系统以及车载充电设备，满足汽车环境下的高可靠性要求。
SI2302DS, BSS138K, 2N7002K
