时间：2025/9/14 8:53:10
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PMV15UNEAR是一款由Nexperia（安世半导体）生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用TSSOP（Thin Shrink Small Outline Package）封装形式，适用于低电压和中等功率应用。该器件具备高性能、低导通电阻和紧凑封装的优势，广泛用于电源管理、负载开关、电池供电设备等领域。
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：-15V
最大栅源电压（Vgs）：±8V
最大连续漏极电流（Id）：-1.6A
导通电阻（Rds(on)）：380mΩ @ Vgs = -4.5V；450mΩ @ Vgs = -2.5V
功率耗散（Ptot）：1W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSSOP14
PMV15UNEAR具有优异的电气性能和稳定的开关特性，适用于各种低功耗应用场景。
首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下的低功耗表现，从而提高了整体系统的能效。在Vgs为-4.5V时，Rds(on)仅为380毫欧，适用于要求高效能的电源开关应用。
其次，PMV15UNEAR具备良好的热稳定性和高功率耗散能力，封装形式为TSSOP14，有助于散热并提高器件在高负载条件下的可靠性。其1W的总功率耗散能力支持在有限的PCB空间内实现较高的功率密度。
此外，该MOSFET的栅极驱动电压兼容多种控制器，可在-2.5V至-4.5V的范围内稳定工作，适合用于低电压数字逻辑电路驱动。其宽工作温度范围（-55°C至150°C）也确保了在严苛环境下的稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
最后，PMV15UNEAR的封装尺寸小巧，便于在空间受限的设计中使用，如便携式电子设备、智能穿戴产品和物联网（IoT）设备。
PMV15UNEAR广泛应用于需要高效能、低功耗的电子系统中，特别是在电池供电设备和便携式电子产品中发挥重要作用。
首先，该器件适用于电源管理电路，如DC-DC转换器、LDO稳压器和负载开关，能够有效控制功率传输并减少静态损耗。
其次，PMV15UNEAR可作为负载开关用于控制外部设备的电源，如传感器、显示屏、LED背光等模块的供电管理，具有快速开关能力和低静态电流的优点。
此外，它也适用于电池供电设备中的电源控制，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和无线耳机等，能够延长设备的续航时间。
在工业控制领域，PMV15UNEAR可用于小型电机控制、继电器驱动和自动化系统的电源管理，其高可靠性和热稳定性确保了长时间运行的稳定性。
最后，该MOSFET也适合用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、电动窗控制、照明系统等，满足汽车应用对高可靠性和宽温度范围的要求。
Si2305DS, BSS84, FDN340P, ZXMP6A13F
