时间：2025/9/13 22:34:11
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PMV13XNEAR 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理和功率开关应用。该器件采用小型无引脚封装（如 TSON 或类似封装），适用于需要高效率和紧凑设计的电路。PMV13XNEAR 的设计使其能够在低电压应用中提供较高的电流承载能力和较低的导通电阻。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：4.8A
导通电阻（RDS(on)）：最大值为 13mΩ（VGS=4.5V）
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TSON6（DFN1006BD-6）
PMV13XNEAR 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件在 VGS=4.5V 时的 RDS(on) 最大值仅为 13mΩ，非常适合用于电池供电设备和高效率 DC-DC 转换器。
此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，在连续漏极电流方面可达 4.8A，使其适用于中等功率的开关应用。其封装形式为 TSON6，体积小巧，有助于节省 PCB 空间，适用于便携式电子产品和嵌入式系统。
该器件还具备良好的热性能，能够有效散热，确保在高负载条件下稳定运行。工作温度范围从 -55°C 到 150°C，使其能够在各种恶劣环境下正常工作。
PMV13XNEAR 支持快速开关操作，具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。这种特性在高频开关应用中尤为重要，如电机控制、负载开关和同步整流器等。
另外，该 MOSFET 内部结构优化，具备较高的可靠性和抗静电能力，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。
PMV13XNEAR 适用于多种功率管理场合，如便携式设备中的负载开关、DC-DC 转换器、LED 照明驱动电路、电机控制以及电池管理系统。由于其高效率和小尺寸封装，它也常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及工业自动化控制系统中。此外，该器件还可用于电源管理模块中的同步整流器，以提高转换效率。
PMV13XNEAR 的替代型号包括 Si2302DS、AO4406、以及 Nexperia 自家的 PMV14XNEAR。这些型号在电气参数、封装和性能方面较为接近，可根据具体设计需求进行选型替换。
