时间：2025/9/14 22:25:30
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PMV100XPEA是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能P沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用先进的Trench工艺，提供低导通电阻、高耐压和良好的热性能。PMV100XPEA封装为SOT223（表面贴装），适用于各种高密度PCB设计，具备良好的散热能力。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-10A（在25°C环境温度下）
导通电阻（RDS(on)）：最大145mΩ @ VGS = -10V
最大功耗（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT223
PMV100XPEA具备多项优异的电气和机械特性，适用于高要求的电源管理应用。
首先，该MOSFET采用先进的Trench技术，确保了极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。在-10V的栅极电压下，RDS(on)最大仅为145mΩ，使得在高电流应用中也能保持较低的功率损耗。
其次，PMV100XPEA具有较高的耐压能力，其漏源击穿电压为-100V，适用于中高压电源转换应用，如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。栅源电压容限为±20V，提供了更高的设计灵活性和保护能力。
此外，该器件的封装形式为SOT223，具备良好的散热性能，能够有效地将热量传导到PCB上，从而提高器件的稳定性和可靠性。SOT223是一种常用的表面贴装封装，适合自动化装配流程，广泛应用于工业控制、通信设备和消费电子产品中。
PMV100XPEA的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其具备优异的环境适应能力，能够在极端温度条件下稳定工作，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
PMV100XPEA凭借其高性能参数和可靠的设计，广泛应用于多个领域。
首先，在电源管理方面，PMV100XPEA适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路。由于其低导通电阻和高耐压特性，能够在高效率电源转换系统中发挥重要作用，尤其适合用于电池供电设备中的电源管理模块。
其次，在工业控制领域，该器件可用于电机驱动、PLC（可编程逻辑控制器）以及工业自动化设备中的开关控制电路。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。
此外，PMV100XPEA也适用于通信设备中的电源管理系统，如基站电源模块、路由器和交换机的电源控制电路。这些设备对电源效率和稳定性有较高要求，PMV100XPEA的优良特性能够满足这些需求。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电系统、车身控制模块（BCM）以及车载信息娱乐系统等应用。其符合AEC-Q101汽车电子标准，能够满足汽车应用对可靠性和环境适应性的严格要求。
最后，在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中，PMV100XPEA可用于电源开关和负载管理，提升产品能效并延长电池续航时间。
Si4435BDY-T1-GE3, IRF9Z24NPBF, FDS6680, AO4407A
