时间：2025/9/14 21:13:11
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PMV100ENEAR 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的一款高性能、低功耗的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品，采用P沟道结构，适用于电源管理和负载开关等应用。该器件采用先进的制造工艺，具备出色的热稳定性和电性能，适用于各种工业、汽车和消费类电子设备。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：-20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：-4.1A
导通电阻(Rds(on))：100mΩ @ Vgs = -4.5V
功率耗散(Pd)：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：DFN1006-6
PMV100ENEAR 具备多项优异的电气和热性能，适合高可靠性应用场景。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件支持较高的栅源电压（±12V），提高了在复杂工作环境下的稳定性。此外，PMV100ENEAR 采用DFN1006-6封装，具有良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。其封装尺寸小巧，有助于节省电路板空间。
该MOSFET具有出色的抗静电能力和过温保护特性，能够在恶劣的电气环境中稳定工作。同时，其快速开关特性使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等。此外，PMV100ENEAR 在低电压驱动条件下仍能保持良好的性能，适用于3.3V或5V逻辑控制电路。
PMV100ENEAR 主要应用于电源管理系统、负载开关、电池供电设备、电机控制、DC-DC转换器、工业自动化设备以及汽车电子系统等领域。其高可靠性和紧凑封装使其成为便携式电子产品、智能家电和车载设备的理想选择。
PMV100X, PMV20XENEAR, BSS84P
