时间：2025/5/9 9:27:41
阅读：3
PMT280ENEA 是一款基于硅技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。其采用 TO-263 封装形式，具备低导通电阻和快速开关特性，适合需要高效能和散热性能良好的应用环境。
该器件具有优秀的雪崩能力，能够在过载条件下提供更高的可靠性。同时，其低栅极电荷设计有助于减少开关损耗，从而提高整体系统效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：45A
导通电阻：9mΩ
栅极电荷：75nC
总电容：250pF
功耗：150W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 低导通电阻，有效降低传导损耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高雪崩击穿能量能力，提升系统可靠性。
4. 具备热保护功能，防止过热损坏。
5. TO-263 封装，提供出色的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 通信电源
6. 电池管理系统（BMS）
7. LED 驱动器
8. 太阳能逆变器
IRFZ44N
STP45NF06L
FDP5800
