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PMT200EPEAX 发布时间 时间:2025/12/28 14:25:43 查看 阅读:15

PMT200EPEAX是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的功率MOSFET晶体管,主要用于高效率功率转换和控制应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造,具有较低的导通电阻和较高的热稳定性,适用于各种工业、汽车和消费类电子设备。PMT200EPEAX采用TO-220封装,具备良好的散热性能,能够承受较高的工作电流和电压。该MOSFET为N沟道增强型晶体管,工作电压为200V,最大持续漏极电流可达16A。其封装设计使其易于安装在散热片上,提高系统稳定性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):200V
  栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):16A(在Tc=25°C)
  导通电阻(Rds(on)):140mΩ(最大值)
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-220
  功率耗散(Ptot):50W
  漏极电容(Ciss):950pF(典型值)
  栅极电荷(Qg):34nC(典型值)

特性

PMT200EPEAX具备多个优异的电气和热性能特性,适用于高功率应用。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。其次,该器件具备较高的耐压能力,可承受高达200V的漏源电压,适用于中高压功率转换电路。此外,PMT200EPEAX的TO-220封装设计确保了良好的散热性能,使器件在高电流工作条件下仍能保持稳定的热性能。
  该MOSFET具有快速开关能力,其栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高电路响应速度。这对于高频开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用尤为重要。此外,PMT200EPEAX还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性,提高了器件在恶劣工作环境下的可靠性。
  由于其优异的热稳定性和耐用性,PMT200EPEAX适用于需要长时间连续工作的工业设备和汽车电子系统。例如,在电动汽车的电池管理系统(BMS)、车载充电器(OBC)和直流电机控制电路中,该器件可以提供稳定的性能和较长的使用寿命。

应用

PMT200EPEAX广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:电源管理系统:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和不间断电源(UPS)等,用于高效能电能转换和稳压控制。
  电机控制:适用于工业自动化设备中的直流电机驱动器、步进电机控制器和伺服系统,提供高效的功率控制。
  汽车电子:用于车载充电器、电动车窗控制模块、电池管理系统(BMS)等汽车应用,满足汽车电子对高可靠性和耐高温性能的要求。
  工业设备:如变频器、电焊机、逆变器和电源分配系统,PMT200EPEAX可在高电压和高电流条件下稳定运行,提高设备的整体效率。
  消费类电子产品:例如高性能电源适配器、LED照明驱动器和智能家电控制电路,满足现代电子产品对小型化和高效能的需求。

替代型号

STP16NF20, FDPF16N20, IRFZ44N, FQA16N20C

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PMT200EPEAX参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)70 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)167 毫欧 @ 2.4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)15.9 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)822 pF @ 35 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)800mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-223
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA