PMST6428,115 时间：2025/9/14 4:26:29 阅读：6

PMST6428,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TSSOP 封装。这款 MOSFET 专为高效率、高频开关应用而设计，具有较低的导通电阻和较高的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等多种应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（Id）：6.4A
　　漏源击穿电压（Vds）：20V
　　栅源击穿电压（Vgs）：±8V
　　导通电阻（Rds(on)）：30mΩ（最大）
　　功率耗散（Ptot）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSSOP

特性

PMST6428,115 具备多项优异特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on) 最大为 30mΩ）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体效率并减少了散热需求。该特性在高电流应用中尤为重要，有助于维持较低的工作温度。
　　其次，该 MOSFET 的最大漏极电流为 6.4A，最大漏源电压为 20V，适用于中低功率的开关应用。栅源电压限制为 ±8V，确保了栅极控制的稳定性和可靠性，防止因过高的栅压导致器件损坏。
　　此外，PMST6428,115 采用 TSSOP 封装，具有较小的封装尺寸和良好的热管理性能，适合在空间受限的设计中使用。其功率耗散能力为 1.4W，支持在较高的工作环境下保持稳定运行。
　　最后，该器件的工作温度范围宽，从 -55°C 到 +150°C，表现出良好的热稳定性和可靠性，适用于各种工业和汽车电子应用。

应用

PMST6428,115 适用于多种需要高效功率控制的电子系统。其主要应用包括电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关和电池供电设备中的功率管理模块。由于其低导通电阻和高电流能力，它在高效能电源转换器中表现出色，能够减少能量损耗并提升整体系统效率。
　　此外，PMST6428,115 也常用于电机控制电路中，作为驱动电机的功率开关，能够承受频繁的开关操作并提供稳定的电流控制。在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、照明系统和车载充电器等应用，确保在恶劣环境下的稳定运行。
　　该 MOSFET 还适用于工业自动化设备中的开关控制，如 PLC（可编程逻辑控制器）和工业传感器，提供快速响应和可靠的开关性能。