时间：2025/9/14 11:45:57
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PMST5550,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理、负载开关和 DC-DC 转换器等应用。该器件采用小型 SOT23 封装，具有低导通电阻、高可靠性以及良好的热稳定性。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压 Vds：-50V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id（@25℃）：-100mA
导通电阻 Rds(on)（@Vgs = -10V）：最大 4.5Ω
导通电阻 Rds(on)（@Vgs = -4.5V）：最大 5.5Ω
功耗（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装形式：SOT23
PMST5550,115 具有多个优异的电气特性和物理优势，适用于各种中低功率应用。
首先，其 P 沟道结构使其在高边开关应用中表现出色，能够有效地控制电源路径。该器件的低导通电阻（Rds(on)）在 -10V 栅极电压下最大为 4.5Ω，在 -4.5V 下最大为 5.5Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
其次，PMST5550,115 采用 SOT23 小型封装，适合空间受限的设计，同时具备良好的热稳定性。其最大功耗为 300mW，在正常工作条件下可以有效地散热，从而确保长期稳定运行。
此外，该 MOSFET 支持宽范围的栅极电压（±20V），提高了其在不同应用环境下的适应性，并具备较强的抗干扰能力。漏源电压可达 -50V，适用于多种中低压电源管理系统。
最后，PMST5550,115 在工业级温度范围内（-55℃ 至 +150℃）均可稳定工作，具有优异的环境适应性和可靠性，适合工业控制、消费电子、汽车电子等多种应用场景。
PMST5550,115 广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于对空间和功耗有要求的低功耗电源管理场合。
在电源管理系统中，它可作为负载开关、电池保护开关或电源路径控制器件，用于控制电源的通断，降低待机功耗。在 DC-DC 转换器中，该器件可作为高边开关使用，实现高效的电压转换。此外，它还可用于 LED 驱动、逻辑电平转换、信号开关等应用，适用于便携式设备、智能传感器、小型电机控制等场合。
由于其 SOT23 小型封装，PMST5550,115 特别适合用于 PCB 空间受限的高密度设计，如智能手机、可穿戴设备、IoT 设备和智能家居产品等消费类电子产品。同时，其良好的温度稳定性和可靠性也使其适用于工业控制模块、自动测试设备和车载电子系统等对稳定性要求较高的领域。
DMG9435UDG-13、Si2301DS、FDC6303、AO4403、TPC8103
