时间：2025/9/13 20:23:38
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PMST5088,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等场合。该器件采用小尺寸的 TSOP 封装（也称为 SOT-457），具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于需要高效能和紧凑设计的电子系统。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（Id）：最大 1.4A
漏源电压（Vds）：最大 20V
栅源电压（Vgs）：±12V
导通电阻（Rds(on)）：最大 0.175Ω（在 Vgs=4.5V 时）
功率耗散（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TSOP / SOT-457
PMST5088,115 的核心优势在于其较低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其栅极驱动电压范围为 1.8V 至 10V，适用于多种控制电路，包括低压微控制器。该器件的开关速度快，适合高频应用，同时具备良好的热稳定性。由于采用小型封装，PMST5088,115 非常适合空间受限的设计，如便携式设备、智能传感器和嵌入式控制系统。此外，该 MOSFET 具有较高的耐用性和可靠性，在工业级温度范围内保持稳定性能。
另一个显著特性是其出色的雪崩能量承受能力，增强了器件在电压瞬变情况下的稳定性。Nexperia 的工艺确保了产品的一致性和高良率，使得 PMST5088,115 成为许多电源应用中的理想选择。其栅极氧化层设计可防止静电放电（ESD）损伤，提升了在生产与使用过程中的可靠性。
PMST5088,115 主要用于中低功率的开关电路，如负载开关、电池管理系统、DC-DC 转换器、LED 驱动器、电源管理模块等。在消费类电子产品中，它可用于控制便携设备中的电源路径切换，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。在工业自动化系统中，PMST5088,115 可用于驱动继电器、电机或作为开关元件。此外，该器件也可用于通信设备、传感器模块和智能家电中的电源控制部分，提供高效、稳定的功率切换能力。
Si2302DS, BSS138, 2N7002, FDV301N
