时间：2025/9/3 19:54:57
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PMR50 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗。PMR50 可用于多种电源应用，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：13A
导通电阻（Rds(on)）：最大值 0.38Ω（在 Vgs=10V 时）
功耗（Ptot）：125W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
PMR50 MOSFET 的核心优势在于其高效的功率处理能力，这得益于其低导通电阻设计，使其在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗。此外，该器件具有较高的热稳定性和抗过载能力，能够在苛刻的工作环境下保持稳定运行。
该 MOSFET 使用先进的沟槽技术制造，提供了优越的开关性能，包括较快的开关速度和较低的开关损耗，这对于高频开关应用尤为重要。此外，PMR50 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的功耗，提高整体效率。
在安全性和可靠性方面，PMR50 具备较强的雪崩能量承受能力，可以在意外过压或瞬态电压情况下保护器件免受损坏。这种特性使其在工业电源和电机驱动等应用中具有更高的系统稳定性。
此外，PMR50 的封装形式（TO-220）便于散热和安装，支持多种散热方式，例如散热片或风扇冷却，以满足不同应用需求。这种封装形式还具有良好的机械强度和电气绝缘性能，适合多种电路布局。
PMR50 MOSFET 主要用于需要高电压和中等电流处理能力的功率电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、逆变器、电池管理系统以及工业自动化设备中的电机驱动控制电路。
在电源管理领域，PMR50 常用于构建高效的同步整流电路，以替代传统的二极管整流器，从而显著提高能量转换效率。此外，它也适用于各种负载开关应用，例如智能电源分配系统和高可靠性工业控制系统。
由于其出色的开关特性和热稳定性，PMR50 还可用于音频功率放大器和开关放大器等高性能模拟电路中，提供高保真度和低失真输出。
STP12NM50N, FQA13N50C, IRFBC40
