类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：6A（最大）
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：20V
　　栅极-源极电压（VGS）：±8V
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（典型值，VGS=4.5V）
　　功率耗散：1.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOT26

PMQB8206具有多项优异特性，使其在低电压功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在VGS=4.5V时，RDS(on)仅为28mΩ，这对于高电流应用场景尤为重要。
　　其次，该器件采用双通道结构，允许在单个封装中实现两个独立的MOSFET通道，节省PCB空间并简化电路设计。每个通道的漏极电流额定值为6A，支持高功率负载的驱动。
　　此外，PMQB8206的栅极驱动电压范围宽广，支持3.3V、5V及逻辑电平驱动，便于与各种微控制器或数字逻辑电路配合使用。其栅极氧化层设计可承受±8V电压，提高了器件的稳定性和抗干扰能力。
　　该器件的SOT26封装具备良好的热性能和小型化优势，适用于便携式电子设备、DC-DC转换器、负载开关和马达驱动等应用。其高可靠性设计确保在严苛工作条件下仍能保持稳定运行。

PMQB8206主要应用于以下领域：电源管理系统中的负载开关控制，电池供电设备的电源管理，DC-DC转换器中的高侧或低侧开关，便携式电子产品中的马达驱动电路，以及需要高效、低电压功率开关的嵌入式系统和物联网（IoT）设备。此外，该器件也可用于通信设备、工业控制系统和汽车电子模块中的功率控制部分。

AO4406A, Si4435DY, FDMC8206, BSS8406